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Apacer通過3D NAND閃存優化定位精度

2019-11-07 20:17來源:中國存儲網
導讀:Apacer公司已經開發了NAND閃存技術的某些優化。這些優化的目的是為客戶提供最適合其應用的P/E周期。

NAND閃存已經成為一種成熟的技術,并且現在可用的各種格式已經在許多工業應用中采用。

但是,由于希望超越標準選項,Apacer公司已經開發了NAND閃存技術的某些優化。這些優化的目的是為客戶提供最適合其應用的P / E周期。

此前,該公司開發了一種稱為SLC-lite的NAND閃存優化形式。SLC-lite背后的中心概念是使2D MLC表現得像SLC。MLC包含2位,但是通過僅對2位(最低有效位(LSB))進行編程,單元分布的行為幾乎與SLC閃存相同。然后,耐久性大大提高,達到20,000個P / E周期。標準2D MLC只能達到3,000個P / E周期。

但是,隨著3D NAND閃存技術的成熟,該公司的工程師為3D NAND驅動器開發了與SLC-lite類似的工藝。該技術的兩種新形式稱為SLC-liteX和MLC-liteX。SLC-liteX基于3D NAND。該公司的工程團隊對固件進行了調整,以便以這種格式提供最大數量的P / E周期-30,000,這是MLC或工業3D TLC的十倍。使用壽命最長,價格合理。

MLC-liteX也基于3D NAND技術。固件經過微調,提供的P / E周期(10,000)是MLC或工業3D TLC的三倍以上。在延長使用壽命的同時,實現了成本效益的優化。

3D NAND TLC的標準位格式在1個單元中存儲3位。MLC-liteX僅編程3位中的2位。因此,MLC-liteX的容量僅減少了三分之一。這種權衡的優點是增加了P / E周期。按照這種思路,SLC-liteX僅對3位中的1位進行編程。因此,容量減少了三分之二,但可以使用更多的P / E周期。

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關鍵詞 :
Apacer 3D NAND
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