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加碼布局第三代半導體 耐威科技擬投建氮化鎵晶圓制造項目

2019-11-08 01:22來源:中國存儲網
導讀:這次擬在青島西海岸新區再投建氮化鎵(GaN)晶圓制造項目,耐威科技表示,若項目順利建成,將有利于公司在第三代半導體領域的全產業鏈布局。

中國存儲網消息,耐威科技正在進一步布局第三代半導體產業鏈。

11月6日,耐威科技發布公告稱,其與青島西海岸新區管委簽署協議,擬在青島西海岸新區投資建設氮化鎵(GaN)晶圓制造項目。

投建氮化鎵(GaN)晶圓制造項目

公告顯示,耐威科技與與青島西海岸新區管委簽署《合作框架協議》,雙方根據國家有關法律法規及青島西海岸新區發展規劃,本著共同發展、互利共贏的原則,經友好協商,就耐威科技擬在新區投資建設氮化鎵(GaN)晶圓制造項目初步達成意向。

該項目擬建設一條6英寸氮化鎵微波器件生產線和一條 8英寸氮化鎵功率器件生產線;項目總建筑面積約20.40萬平米,其中廠房與辦公建筑面積約18.00萬平米,宿舍面積約2.40萬平米。項目建成后,將有助于青島形成氮化鎵(GaN)基礎材料全產業鏈基地及產業集群。

此次簽訂的協議不涉及具體金額,至于項目資金,公告表示項目一期投資由耐威科技聯合有關產業投資基金共同出資不少于50%;其余資金由青島西海岸新區管委協調安排相關國有企業以土地廠房出資或直接投資方式解決,具體合作方式耐威科技與相關國有企業另行約定。

據介紹,青島西海岸新區管委為青島西海岸新區的行政主管單位,青島西海岸新區是國務院批準的第9個國家級新區,處于山東半島藍色經濟區和環渤海經濟圈內,具有輻射內陸、聯通南北、面向太平洋的戰略區位優勢。

公告指出,本協議是雙方合作的框架協議,自協議簽署之日起有效期三個月,具體合作模式及內容以雙方另行簽署的合同約定為準。

第三代半導體領域全產業鏈布局

氮化鎵(GaN)是第三代半導體材料的典型代表之一。與第一、二代相比,第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子 速率等優點,可滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

由于性能優越等原因,許多發達國家將第三代半導體材料列入國家計劃,搶占戰略制高點。近年來,我國多地及不少企業正在加速布局,耐威科技也于去年正式涉足第三代半導體領域。

2018年7月,耐威科技在青島市嶗山區投資設立“青島聚能創芯微電子有限公司”,主要從事功率與微波器件,尤其是氮化鎵(GaN)功率與微波器件的設計、開發;2018 年6月,耐威科技在青島市即墨區投資設立“聚能晶源(青島)半導體材料有限公司”(以下簡稱“聚能晶源”),主要從事半導體材料,尤其是氮化鎵(GaN)外延材料的設計、開發、生產。

目前,耐威科技在第三代半導體的布局已有階段性成果。2018年12月,耐威科技公告宣布,聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延晶圓”;今年9月,聚能晶源宣布其第三代半導體材料制造項目(一期)正式投產。

這次擬在青島西海岸新區再投建氮化鎵(GaN)晶圓制造項目,耐威科技表示,若項目順利建成,將有利于公司在第三代半導體領域的全產業鏈布局,把握產業發展機遇,盡快拓展相關材料與器件在5G通信、物聯網、數據中心、新型電源等領域的推廣應用。

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